Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit
- Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit
- didelio elektronų judrio tranzistorius
statusas T sritis radioelektronika
atitikmenys: angl. high-electron mobility transistor
vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m
rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m
pranc. transistor à haute mobilité d'électrons, m
Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“.
Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas.
2000.
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High-electron-mobility transistor — Querschnitt eines InGaAs pseudomorphen HEMT Der high electron mobility transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der… … Deutsch Wikipedia
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HEMT — [eɪtʃiːem tiː; Abkürzung für englisch high electron mobility transistor, »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«], ein Feldeffekttransistor mit künstlicher Mikrostruktur auf Galliumarsenidbasis für Höchstfrequenz Halbleiterbauelemente.… … Universal-Lexikon
didelio elektronų judrio tranzistorius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc. transistor à haute mobilité d électrons, m … Radioelektronikos terminų žodynas
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